| 전력 소모 | 267 mW |
|---|---|
| 공급전류 - 맥스 | 92 마 |
| 공급 전압 - 맥스 | 3.6 Ｖ |
| 공급 전압 - 민 | 3 Ｖ |
| 날짜 코드 | 22+ |
| 작동 공급 전압 | 3.3 Ｖ |
|---|---|
| 최소 동작 온도 | - 40 Ｃ |
| 최대 작업 온도 | + 85 Ｃ |
| 전력 소모 | 267 mW |
| 날짜 코드 | 22+ |
| 기술 | Si |
|---|---|
| 증가하는 방식 | SMD / SMT |
| 패키지 / 건 | VQFN-8 |
| 트랜지스터 극성 | 엔-채널 |
| 채널 수 | 1개 채널 |
| 브그스 - 게이트-소스 전압 | - 20 Ｖ, + 20 Ｖ |
|---|---|
| 큐그 - 게이트전하 | 4.3 nC |
| Pd - 전력 소모 | 2.8 Ｗ |
| 상승 시간 | 3 나노 초 |
| 날짜 코드 | 22+ |
| 포장 세부 사항 | 표준 / 새로운 / 원형 |
|---|---|
| 작동 온도 | - + 175 Ｃ에 대한 55 Ｃ |
| Pd - 전력 소모 | 315 Ｗ |
| Vds - 드레인-소스 항복 전압 | 100 Ｖ |
| ID - 연속배수 경향 | 180A |
| 수명 | 활동가 |
|---|---|
| 브그스 - 게이트-소스 전압 | - 20 Ｖ, + 20 Ｖ |
| 포장 세부 사항 | 표준 / 새로운 / 원형 |
| 분류 경로 | 반도체 > 다이오드, 트랜지스터와 사이리스터 > FET 트랜지스터 > 모스페트스 |
| 날짜 코드 | 21+ |
| 부품 마킹 | MBRM140T1G |
|---|---|
| 증가하는 방식 | 스크류 마운트 |
| 패키지 / 건 | 파워미트 |
| 구성 | 하나의 |
| 기술 | Si |
