電力損失 | 267 MW |
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最高供給の流れ- | 92 mA |
最高供給電圧- | 3.6 V |
供給電圧-分 | 3ボルト |
日付コード | 22+ |
作動の供給電圧 | 3.3 V |
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最低の実用温度 | - 40 C |
最高使用可能温度 | + 85 C |
電力損失 | 267 MW |
日付コード | 22+ |
技術 | Si |
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様式の取付け | SMD/SMT |
パッケージ/場合 | VQFN-8 |
トランジスタ極性 | N-Channel |
チャネルの数 | 1つのチャネル |
Vgs -ゲート源の電圧 | - 20ボルト、+ 20ボルト |
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Qg -ゲート充満 | 4.3 NC |
Pd -電力損失 | 2.8 W |
上昇時間 | 3 ns |
日付コード | 22+ |
パッケージの詳細 | 標準/新しい/原物 |
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実用温度 | - 55 ℃への+ 175 ℃ |
Pd -電力損失 | 315 W |
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧 | 100ボルト |
ID -連続的な下水管の流れ | 180A |
ライフサイクル | 活動的 |
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Vgs -ゲート源の電圧 | - 20ボルト、+ 20ボルト |
パッケージの詳細 | 標準/新しい/原物 |
分類パス | 半導体>ダイオード、トランジスターおよびサイリスタ> FETのトランジスター> MOSFETs |
日付コード | 21+ |
パーツマーキング | MBRM140T1G |
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様式の取付け | スクリューマウント |
パッケージ/場合 | PowerMITE |
構成 | 単一 |
技術 | Si |