Диссипация силы | 267 mW |
---|---|
Течение поставки - Макс | 92 мамы |
Подача напряжения - Макс | 3,6 v |
Подача напряжения - минута | 3 v |
Код даты | 22+ |
Работая подача напряжения | 3,3 v |
---|---|
Минимальная рабочая температура | - 40 c |
Максимальная рабочая температура | + 85 c |
Диссипация силы | 267 mW |
Код даты | 22+ |
Технология | Si |
---|---|
Устанавливать стиль | SMD/SMT |
Пакет/случай | VQFN-8 |
Полярность транзистора | N-канал |
Количество каналов | 1 канал |
Vgs - напряжение тока Ворот-источника | - 20 V, + 20 V |
---|---|
Qg - обязанность ворот | 4,3 nC |
Pd - диссипация силы | 2,8 w |
Время нарастания | 3 ns |
Код даты | 22+ |
Упаковывая детали | Стандарт/новое/оригинал |
---|---|
Рабочая температура | - ℃ 55 к + ℃ 175 |
Pd - диссипация силы | 315 w |
Vds - пробивное напряжение Сток-источника | 100 v |
ID - Непрерывное течение стока | 180 А |
Время существования | Активный |
---|---|
Vgs - напряжение тока Ворот-источника | - 20 V, + 20 V |
Упаковывая детали | Стандарт/новое/оригинал |
Путь таксономии | Полупроводник > диоды, транзисторы и тиристоры > транзисторы FET > MOSFETs |
Код даты | 21+ |
МАРКИРОВКА ДЕТАЛИ | MBRM140T1G |
---|---|
Устанавливать стиль | Винтовое крепление |
Пакет/случай | PowerMITE |
Конфигурация | Одиночный |
Технология | Si |