Dissipazione di potere | 267 Mw |
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Corrente del rifornimento - massima | 92 mA |
Tensione di rifornimento - massima | 3,6 V |
Tensione di rifornimento - min | 3 V |
Codice della data | 22+ |
Tensione di rifornimento di funzionamento | 3,3 V |
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Temperatura di funzionamento minima | - 40 C |
Temperatura di funzionamento massima | + 85 C |
Dissipazione di potere | 267 Mw |
Codice della data | 22+ |
Tecnologia | Si |
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Montaggio dello stile | SMD/SMT |
Pacchetto/caso | VQFN-8 |
Polarità del transistor | N-Manica |
Numero dei canali | 1 Manica |
Vgs - tensione di Portone-fonte | - 20 V, + 20 V |
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Qg - tassa del portone | 4,3 nC |
Palladio - dissipazione di potere | 2,8 W |
Tempo di aumento | 3 NS |
Codice della data | 22+ |
Imballaggi particolari | Norma/nuovo/originale |
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Temperatura di funzionamento | - ℃ 55 + a ℃ 175 |
Palladio - dissipazione di potere | 315 W |
Vds - tensione di ripartizione di Scolo-fonte | 100 V |
Identificazione - Corrente continua dello scolo | 180 A |
Ciclo di vita | Attivo |
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Vgs - tensione di Portone-fonte | - 20 V, + 20 V |
Imballaggi particolari | Norma/nuovo/originale |
Percorso tassonomia | Semiconduttore > diodi, transistor e tiristori > transistor del FET > MOSFETs |
Codice della data | 21+ |
MARCATURA DELLE PARTI | MBRM140T1G |
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Montaggio dello stile | Montaggio a vite |
Pacchetto/caso | PowerMITE |
Configurazione | Singolo |
Tecnologia | Si |