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Chine DP83848IVVX/NOPB/émetteur-récepteur port 10/100 Mb/s de l'Ethernet IC SGL

DP83848IVVX/NOPB/émetteur-récepteur port 10/100 Mb/s de l'Ethernet IC SGL

Prix: contact us MOQ: 1
Dissipation de puissance 267 mW
Courant d'approvisionnement - maximum 92 mA
Tension d'alimentation - maximum 3,6 V
Tension d'alimentation - minute 3 V
Code de date 22+
Chine DP83848IVVX/NOPB/émetteur-récepteur port 10/100 Mb/s de l'Ethernet IC SGL

DP83848IVVX/NOPB/émetteur-récepteur port 10/100 Mb/s de l'Ethernet IC SGL

Prix: contact us MOQ: 1
Tension d'alimentation d'opération 3,3 V
Température de fonctionnement minimum - 40 C
Température de fonctionnement maximum + 85 C
Dissipation de puissance 267 mW
Code de date 22+
Chine CSD17578Q3AT/SMD/SMT/Texas Instruments/VSONP-8/transistors MOSFET

CSD17578Q3AT/SMD/SMT/Texas Instruments/VSONP-8/transistors MOSFET

Prix: contact us MOQ: 1
Technologie SI
Montage du style SMD/SMT
Paquet/cas VQFN-8
Polarité du transistor  N-canal
Nombre de canaux La 1 Manche
Chine CSD19538Q3A/transistor MOSFET 100-V/transistor MOSFET de puissance de NexFET canal de N

CSD19538Q3A/transistor MOSFET 100-V/transistor MOSFET de puissance de NexFET canal de N

Prix: contact us MOQ: 1
Vgs - tension de Porte-source - 20 V, + 20 V
Qg - charge de porte 4,3 OR
Palladium - dissipation de puissance 2,8 W
Temps de montée 3 NS
Code de date 22+
Chine STH315N10F7-2/TO-263-3/transistors MOSFET

STH315N10F7-2/TO-263-3/transistors MOSFET

Prix: contact us MOQ: 1
Détails d'emballage Norme/nouveau/original
Température de fonctionnement - ℃ 55 + au ℃ 175
Palladium - dissipation de puissance 315 W
Vds - tension claque de Drain-source 100 V
Identification - Courant continu de drain 180 A
Chine SUD50P06-15-GE3/transistor MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin (2+Tab) DPAK de transport

SUD50P06-15-GE3/transistor MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin (2+Tab) DPAK de transport

Prix: contact us MOQ: 1
Cycle de vie Actif
Vgs - tension de Porte-source - 20 V, + 20 V
Détails d'emballage Norme/nouveau/original
Chemin de taxonomie Semi-conducteur > diodes, transistors et thyristors > transistors de FET > transistors MOSFET
Code de date 21+
Chine MBRM140T1G/bâti/onsemi/PowerMITE/simple de vis

MBRM140T1G/bâti/onsemi/PowerMITE/simple de vis

Prix: contact us MOQ: 1
MARQUAGE DES PIECES MBRM140T1G
Montage du style Montage à vis
Paquet/cas PowerMITE
Configuration Simple
Technologie SI
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