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中国 SN65HVD72DGKR VSSOP-8の二重Rs485トランシーバーの半二重トランシーバーの破片

SN65HVD72DGKR VSSOP-8の二重Rs485トランシーバーの半二重トランシーバーの破片

価格: Contact us MOQ: 1
パッケージの詳細 標準/新しい/原物
機能 トランシーバー
データ転送速度 250 kb/s
運転者の数 1人の運転者
二重 半二重
中国 CSD19531Q5ATの分離した半導体デバイス1つのチャネルのNexFET力MOSFET

CSD19531Q5ATの分離した半導体デバイス1つのチャネルのNexFET力MOSFET

価格: contact us MOQ: 1
製品カテゴリ センサー インターフェイス
最高供給電圧- 22ボルト
供給電圧-分 5ボルト
作動の供給の流れ 1.8 mA
運転者の数 1人の運転者
中国 1SMB5922BT3Gツェナー ダイオードの調整装置SMBの単一のダイオード整流器

1SMB5922BT3Gツェナー ダイオードの調整装置SMBの単一のダイオード整流器

価格: Contact us MOQ: 1
パッケージの詳細 標準/新しい/原物
Vz - Zenerの電圧 7.5 V
電圧許容 5%
Pd -電力損失 3 W
Zz - Zenerのインピーダンス 3オーム
中国 SI4943CDY-T1-GE3分離した半導体デバイスSOIC-8 RFの集積回路

SI4943CDY-T1-GE3分離した半導体デバイスSOIC-8 RFの集積回路

価格: Contact us MOQ: 1
パッケージの詳細 標準/新しい/原物
部分#別名 SI4943CDY-GE3
3.9 mm
長さ 4.9 mm
工場パックの量 2500
中国 FDC6561AN SSOT-6の論理のレベルNチャネルMosfetの分離した半導体SMD

FDC6561AN SSOT-6の論理のレベルNチャネルMosfetの分離した半導体SMD

価格: Contact us MOQ: 1
パッケージの詳細 標準/新しい/原物
チャネルの数 2チャネル
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧 30ボルト
ID -連続的な下水管の流れ 2.5 A
Vgs -ゲート源の電圧 - 20ボルト、+ 20ボルト
中国 ATTINY3217-MNRの分離した半導体デバイスQFN-24 8のかまれたマイクロ制御回路

ATTINY3217-MNRの分離した半導体デバイスQFN-24 8のかまれたマイクロ制御回路

価格: Contact us MOQ: 1
パッケージの詳細 標準/新しい/原物
最低の実用温度 - 40 ℃
最高使用可能温度 + 105 ℃
DACの決断 8ビット
データRAMのタイプ SRAM
中国 BSC010N04LS TDSON-8の論理のレベル力Mosfet RoHSの迎合的な1つのチャネル

BSC010N04LS TDSON-8の論理のレベル力Mosfet RoHSの迎合的な1つのチャネル

価格: Contact us MOQ: 1
パッケージの詳細 標準/新しい/原物
様式の取付け SMD/SMT
トランジスター極性 N-Channel
Vgs -ゲート源の電圧 - 20ボルト、+ 20ボルト
最低の実用温度 - 55 ℃
中国 STM32F407VGT6分離した半導体デバイスLQFP-100の腕のマイクロ制御回路

STM32F407VGT6分離した半導体デバイスLQFP-100の腕のマイクロ制御回路

価格: Contact us MOQ: 1
パッケージの詳細 標準/新しい/原物
最高のクロック周波数 168のMHz
I/Osの数 82入力/出力
データRAMのサイズ 192キロバイト
供給電圧-分 1.8 V
中国 SN74LVC1G3157DBVR SOT-23-6アナログ スイッチIC 1チャネルの高圧アナログ スイッチ

SN74LVC1G3157DBVR SOT-23-6アナログ スイッチIC 1チャネルの高圧アナログ スイッチ

価格: Contact us MOQ: 1
パッケージの詳細 標準/新しい/原物
構成 1つのx SPDT
最高抵抗- 15オーム
供給電圧-分 1.65 V
最高供給電圧- 5.5 V
中国 OMAPL138EZWTD4分離した半導体デバイスNFBGAディジタル信号プロセッサ

OMAPL138EZWTD4分離した半導体デバイスNFBGAディジタル信号プロセッサ

価格: Contact us MOQ: 1
パッケージの詳細 標準/新しい/原物
L1隠し場所の指示の記憶 16 kb、32 kb
L1隠し場所データ記憶 16 kb、32 kb
プログラム記憶容量 32 kb
データRAMのサイズ 8 kb
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