| 포장 세부 사항 | 표준 / 새로운 / 원형 |
|---|---|
| 기능 | 송수신기 |
| 자료 비율 | 250 킬로바 / Ｓ |
| 운전자들의 번호 | 1개 드라이버 |
| 이중 통신 | 반 이중 통신 |
| 상품 카테고리 | 센서 인터페이스 |
|---|---|
| 공급 전압 - 맥스 | 22 Ｖ |
| 공급 전압 - 민 | 5 Ｖ |
| 작동 공급전류 | 1.8 마 |
| 운전자들의 번호 | 1개 드라이버 |
| 포장 세부 사항 | 표준 / 새로운 / 원형 |
|---|---|
| 프즈 - 제너 전압 | 7.5 Ｖ |
| 전압 허용 오차 | 5 % |
| Pd - 전력 소모 | 3 Ｗ |
| 즈즈 - 제너 임피던스 | 3 오옴 |
| 포장 세부 사항 | 표준 / 새로운 / 원형 |
|---|---|
| 부분 # 가칭 | SI4943CDY-GE3 |
| 폭 | 3.9 밀리미터 |
| 길이 | 4.9 밀리미터 |
| 양 공장 팩 | 2500 |
| 포장 세부 사항 | 표준 / 새로운 / 원형 |
|---|---|
| 채널 수 | 2개 채널 |
| Vds - 드레인-소스 항복 전압 | 30 Ｖ |
| ID - 연속배수 경향 | 2.5 A |
| 브그스 - 게이트-소스 전압 | - 20 Ｖ, + 20 Ｖ |
| 포장 세부 사항 | 표준 / 새로운 / 원형 |
|---|---|
| 최소 동작 온도 | - 40 Ｃ |
| 최대 작업 온도 | + 105 Ｃ |
| DAC 결의안 | 8비트 |
| 데이터 램 종류 | SRAM |
| 포장 세부 사항 | 표준 / 새로운 / 원형 |
|---|---|
| 증가하는 방식 | SMD / SMT |
| 트랜지스터 극성 | 엔-채널 |
| 브그스 - 게이트-소스 전압 | - 20 Ｖ, + 20 Ｖ |
| 최소 동작 온도 | - 55 Ｃ |
| 포장 세부 사항 | 표준 / 새로운 / 원형 |
|---|---|
| 최대 클록 주파수 | 168 마하즈 |
| I/Os의 수 | 82 입출력 |
| 데이터 램 크기 | 192KB |
| 공급 전압 - 민 | 1.8 Ｖ |
| 포장 세부 사항 | 표준 / 새로운 / 원형 |
|---|---|
| 구성 | 1 Ｘ SPDT |
| 저항 - 맥스에 | 15 오옴 |
| 공급 전압 - 민 | 1.65 Ｖ |
| 공급 전압 - 맥스 | 5.5 Ｖ |
| 포장 세부 사항 | 표준 / 새로운 / 원형 |
|---|---|
| L1 캐시 지시 메모리 | 16 kB, 32 kB |
| L1 캐시 데이터 메모리 | 16 kB, 32 kB |
| 프로그램 메모리 규모 | 32 kB |
| 데이터 램 크기 | 8 kB |
