FDC6561AN/SSOT-6/semiconductores discretos
Estos MOSFETs del nivel de la lógica de N−Channel se producen usando el proceso avanzado del POWERTRENCH de los onsemi que se ha adaptado especialmente para minimizar la resistencia del on−state pero mantener la carga baja de la puerta para el funcionamiento que cambia superior. Están bien adaptados estos dispositivos para todos los usos donde tamaño pequeño son deseables pero especialmente conversión del bajo costo DC/DC en sistemas con pilas.
| Cualidad de producto | Valor del atributo |
|---|---|
| onsemi | |
| Categoría de producto: | MOSFET |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| SSOT-6 | |
| Canal N | |
| Canal 2 | |
| 30 V | |
| 2,5 A | |
| 95 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 1 V | |
| 3,2 nC | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 900 mW | |
| Aumento | |
| PowerTrench | |
| FDC6561AN | |
| Carrete | |
| Corte la cinta | |
| MouseReel | |
| Marca: | onsemi/Fairchild |
| Configuración: | Dual |
| Tiempo de caída: | 10 ns |
| Transconductancia delantera - minuto: | 5 S |
| Altura: | 1,1 milímetros |
| Longitud: | 2,9 milímetros |
| Producto: | Pequeña señal del MOSFET |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 10 ns |
| Cantidad del paquete de la fábrica: | 3000 |
| Subcategoría: | MOSFETs |
| Tipo del transistor: | Canal N 2 |
| Tipo: | MOSFET |
| Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado: | 12 ns |
| Tiempo de retraso de abertura típico: | 6 ns |
| Anchura: | 1,6 milímetros |
| Parte # alias: | FDC6561AN_NL |
| Peso de unidad: | 0,001270 onzas |
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