FDC6561AN/SSOT-6/semicondutores discretos
Estes MOSFETs do nível da lógica de N−Channel são produzidos usando o processo avançado do POWERTRENCH dos onsemi que foi costurado especialmente para minimizar a resistência do on−state no entanto para manter a baixa carga da porta para o desempenho de comutação superior. Estes dispositivos são bem - serido para todas as aplicações onde o tamanho pequeno é conversão do custo desejável mas especialmente baixo DC/DC em sistemas a pilhas.
| Atributo de produto | Valor de atributo |
|---|---|
| onsemi | |
| Categoria de produto: | MOSFET |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| SSOT-6 | |
| N-canal | |
| Canal 2 | |
| 30 V | |
| 2,5 A | |
| 95 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 1 V | |
| 3,2 nC | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 900 mW | |
| Realce | |
| PowerTrench | |
| FDC6561AN | |
| Carretel | |
| Corte a fita | |
| MouseReel | |
| Tipo: | onsemi/Fairchild |
| Configuração: | Duplo |
| Tempo de queda: | 10 ns |
| Transcondutância dianteira - minuto: | 5 S |
| Altura: | 1,1 milímetros |
| Comprimento: | 2,9 milímetros |
| Produto: | Sinal pequeno do MOSFET |
| Tipo de produto: | MOSFET |
| Tempo de elevação: | 10 ns |
| Quantidade do bloco da fábrica: | 3000 |
| Subcategoria: | MOSFETs |
| Tipo do transistor: | N-canal 2 |
| Tipo: | MOSFET |
| Tempo de atraso típico da volta-Fora: | 12 ns |
| Tempo de atraso de ligação típico: | 6 ns |
| Largura: | 1,6 milímetros |
| Parte # pseudônimos: | FDC6561AN_NL |
| Peso de unidade: | 0,001270 onças |
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