FDC6561AN/SSOT-6/semi-conducteurs discrets
Ces transistors MOSFET de niveau de logique de N−Channel sont produits utilisant le processus avancé du POWERTRENCH des onsemi qui a été particulièrement travaillé pour réduire au minimum la résistance d'on−state mais maintenir la basse charge de porte pour la représentation de changement supérieure. Ces dispositifs sont bien adaptés pour toutes les applications où la petite taille est souhaitable mais particulièrement conversion du coût bas DC/DC dans les systèmes à piles.
| Attribut de produit | Valeur d'attribut |
|---|---|
| onsemi | |
| Catégorie de produit : | Transistor MOSFET |
| SI | |
| SMD/SMT | |
| SSOT-6 | |
| N-canal | |
| La Manche 2 | |
| 30 V | |
| 2,5 A | |
| 95 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 1 V | |
| 3,2 OR | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 900 mW | |
| Amélioration | |
| PowerTrench | |
| FDC6561AN | |
| Bobine | |
| Coupez la bande | |
| MouseReel | |
| Marque : | onsemi/Fairchild |
| Configuration : | Double |
| Temps de chute : | 10 NS |
| Transconductance en avant - minute : | 5 S |
| Taille : | 1,1 millimètres |
| Longueur : | 2,9 millimètres |
| Produit : | Petit signal de transistor MOSFET |
| Type de produit : | Transistor MOSFET |
| Temps de montée : | 10 NS |
| Quantité de paquet d'usine : | 3000 |
| Sous-catégorie : | Transistors MOSFET |
| Type de transistor : | N-canal 2 |
| Type : | Transistor MOSFET |
| Temps de retard d'arrêt typique : | 12 NS |
| Temps de retard d'ouverture typique : | 6 NS |
| Largeur : | 1,6 millimètres |
| Partie # noms d'emprunt : | FDC6561AN_NL |
| Poids spécifique : | 0,001270 onces |
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