FDC6561AN/SSOT-6/getrennte Halbleiter
Diese MOSFETs N−Channel-logischen Zustandes werden unter Verwendung modernen das POWERTRENCH-Prozesses der onsemis, der besonders hergestellt worden ist, um den on−state Widerstand herabzusetzen, und doch niedrige, Torgebühr für überlegene zugeschaltete Leistung beizubehalten produziert. Diese Geräte sind für alle Anwendungen gut angepasst, in denen klein, ist wünschenswert aber besonders Umwandlung der niedrigen Kosten DC/DC in den batteriebetriebenen Systemen.
| Produkteigenschaft | Attribut-Wert |
|---|---|
| onsemi | |
| Produkt-Kategorie: | MOSFET |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| SSOT-6 | |
| N-Kanal | |
| Kanal 2 | |
| 30 V | |
| 2,5 A | |
| 95 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 1 V | |
| 3,2 nC | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 900 mW | |
| Verbesserung | |
| PowerTrench | |
| FDC6561AN | |
| Spule | |
| Schneiden Sie Band | |
| MouseReel | |
| Marke: | onsemi/Fairchild |
| Konfiguration: | Doppel |
| Abfallzeit: | 10 ns |
| Vorwärtstransconductance - Minute: | 5 S |
| Höhe: | 1,1 Millimeter |
| Länge: | 2,9 Millimeter |
| Produkt: | MOSFET differenziell |
| Produkt-Art: | MOSFET |
| Anstiegszeit: | 10 ns |
| Fabrik-Satz-Quantität: | 3000 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Transistor-Art: | N-Kanal 2 |
| Art: | MOSFET |
| Typische Abschaltverzögerungs-Zeit: | 12 ns |
| Typische Einschaltverzögerungs-Zeit: | 6 ns |
| Breite: | 1,6 Millimeter |
| Teil # angenommener Name: | FDC6561AN_NL |
| Stückgewicht: | 0,001270 Unze |
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