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SI4943CDY-T1-GE3分離した半導体デバイスSOIC-8 RFの集積回路

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SI4943CDY-T1-GE3分離した半導体デバイスSOIC-8 RFの集積回路
特徴 ギャラリー 製品の説明 見積依頼
特徴
仕様
パッケージの詳細: 標準/新しい/原物
部分#別名: SI4943CDY-GE3
幅: 3.9 mm
長さ: 4.9 mm
工場パックの量: 2500
高さ: 1.75 mm
ハイライト:

SI4943CDYの分離した半導体デバイス

,

SOIC-8分離した半導体デバイス

,

SOIC-8 RFの集積回路

基本情報
起源の場所: 中国
ブランド名: Vishay
モデル番号: SI4943CDY-T1-GE3
お支払配送条件
受渡し時間: 在庫
支払条件: L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力: 私達に連絡しなさい
製品の説明

SI4943CDY-T1-GE3/SOIC-8/分離した半導体

 

•負荷切換え-コンピューターのゲーム システム

 

•電池の切換え- 2細胞李イオン

 

製品特質 属性値
Vishay
製品カテゴリ: MOSFET
Si
SMD/SMT
SOIC-8
P-Channel
2チャネル
20ボルト
8 A
19.2のmOhms
- 20ボルト、+ 20ボルト
3ボルト
62 NC
- 55 C
+ 150 C
3.1 W
強化
TrenchFET
SI4
巻き枠
テープを切りなさい
MouseReel
ブランド: Vishayの半導体
構成: 二重
高さ: 1.75 mm
長さ: 4.9 mm
製品タイプ: MOSFET
工場パックの量: 2500
下位範疇: MOSFETs
幅: 3.9 mm
部分#別名: SI4943CDY-GE3
単位重量: 0.006596 oz

SI4943CDY-T1-GE3分離した半導体デバイスSOIC-8 RFの集積回路 0

 

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