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Circuiti integrati discreti dei dispositivi SOIC-8 rf a semiconduttore SI4943CDY-T1-GE3

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Circuiti integrati discreti dei dispositivi SOIC-8 rf a semiconduttore SI4943CDY-T1-GE3
Caratteristiche Galleria Descrizione di prodotto Richieda una citazione
Caratteristiche
Specificazioni
Imballaggi particolari: Norma/nuovo/originale
Parte # pseudonimi: SI4943CDY-GE3
Larghezza: 3,9 millimetri
Lunghezza: 4,9 millimetri
Quantità del pacchetto della fabbrica: 2500
Altezza: 1,75 millimetri
Evidenziare:

Dispositivi discreti a semiconduttore di SI4943CDY

,

Dispositivi discreti a semiconduttore SOIC-8

,

Circuiti integrati di SOIC-8 rf

Informazioni di base
Luogo di origine: La Cina
Marca: Vishay
Numero di modello: SI4943CDY-T1-GE3
Termini di pagamento e spedizione
Imballaggi particolari: SOIC-8
Tempi di consegna: In azione
Termini di pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: Contattici
Descrizione di prodotto

SI4943CDY-T1-GE3/SOIC-8/semiconduttori discreti

 

• Commutazione del carico - sistemi del gioco di computer

 

• Commutazione della batteria - uno Li-ione di 2 cellule

 

Attributo di prodotto Valore di attributo
Vishay
Categoria di prodotto: MOSFET
Si
SMD/SMT
SOIC-8
P-Manica
2 Manica
20 V
8 A
mOhms 19,2
- 20 V, + 20 V
3 V
62 nC
- 55 C
+ 150 C
3,1 W
Potenziamento
TrenchFET
SI4
Bobina
Tagli il nastro
MouseReel
Marca: Semiconduttori di Vishay
Configurazione: Doppio
Altezza: 1,75 millimetri
Lunghezza: 4,9 millimetri
Tipo di prodotto: MOSFET
Quantità del pacchetto della fabbrica: 2500
Sottocategoria: MOSFETs
Larghezza: 3,9 millimetri
Parte # pseudonimi: SI4943CDY-GE3
Peso specifico: 0,006596 once

Circuiti integrati discreti dei dispositivi SOIC-8 rf a semiconduttore SI4943CDY-T1-GE3 0

 

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