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Circuits intégrés discrets des dispositifs de semi-conducteur SI4943CDY-T1-GE3 SOIC-8 rf

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Circuits intégrés discrets des dispositifs de semi-conducteur SI4943CDY-T1-GE3 SOIC-8 rf
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Caractéristiques
Détails d'emballage: Norme/nouveau/original
Partie # noms d'emprunt: SI4943CDY-GE3
Largeur: 3,9 millimètres
Longueur: 4,9 millimètres
Quantité de paquet d'usine: 2500
Taille: 1,75 millimètres
Surligner:

Dispositifs de semi-conducteur discrets de SI4943CDY

,

Dispositifs de semi-conducteur SOIC-8 discrets

,

Circuits intégrés de SOIC-8 rf

Informations de base
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: Vishay
Numéro de modèle: SI4943CDY-T1-GE3
Conditions de paiement et expédition
Détails d'emballage: SOIC-8
Délai de livraison: En stock
Conditions de paiement: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement: Contactez-nous
Description de produit

SI4943CDY-T1-GE3/SOIC-8/semi-conducteurs discrets

 

• Commutation de charge - ordinateur - systèmes de jeu

 

• Commutation de batterie - Li-ion de 2 cellules

 

Attribut de produit Valeur d'attribut
Vishay
Catégorie de produit : Transistor MOSFET
SI
SMD/SMT
SOIC-8
P-canal
La Manche 2
20 V
8 A
mOhms 19,2
- 20 V, + 20 V
3 V
62 OR
- 55 C
+ 150 C
3,1 W
Amélioration
TrenchFET
SI4
Bobine
Coupez la bande
MouseReel
Marque : Semi-conducteurs de Vishay
Configuration : Double
Taille : 1,75 millimètres
Longueur : 4,9 millimètres
Type de produit : Transistor MOSFET
Quantité de paquet d'usine : 2500
Sous-catégorie : Transistors MOSFET
Largeur : 3,9 millimètres
Partie # noms d'emprunt : SI4943CDY-GE3
Poids spécifique : 0,006596 onces

Circuits intégrés discrets des dispositifs de semi-conducteur SI4943CDY-T1-GE3 SOIC-8 rf 0

 

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