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SN74LVC1T45DBVRの論理の集積回路SMDの集積回路のゲート

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SN74LVC1T45DBVRの論理の集積回路SMDの集積回路のゲート
特徴 ギャラリー 製品の説明 見積依頼
特徴
仕様
供給電圧-分: 1.65 V
最高供給電圧-: 5.5 V
実用温度範囲: - 40℃~+85℃
論理家族: LVC
日付コード: 22+
パッケージの詳細: 標準/新しい/原物
ハイライト:

SN74LVC1T45DBVRの論理の集積回路

,

SMDの集積回路のゲート

,

論理の集積回路SMD

基本情報
起源の場所: フィリピン
ブランド名: TI
モデル番号: SN74LVC1T45DBVR
お支払配送条件
パッケージの詳細: SOT-23-6
受渡し時間: 在庫
支払条件: L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力: 私達に連絡しなさい
製品の説明

SN74LVC1T45DBVR/翻訳-電圧レベルのSingleBの二重供給バスTRANS

 

製品特質 属性値
テキサス・インスツルメント
製品カテゴリ: 翻訳-電圧レベル
RoHS: 細部
SN74LVC1T45
バス トランシーバー
SMD/SMT
SOT-23-6
1.65 V
5.5 V
- 40 C
+ 85 C
17.7のns
巻き枠
テープを切りなさい
MouseReel
ブランド: テキサス・インスツルメント
特徴: 部分的な力(Ioff)、過電圧の耐久性がある入力、Vcc分離
高レベル出力電流: - 32 mA
入れられたタイプ: CMOS、TTL
論理家族: LVC
低レベルの出力電流: 32 mA
実用温度範囲: - + 85 Cへの40 C
出力タイプ: 3州
製品タイプ: 翻訳-電圧レベル

工場パックの量:

3000
下位範疇: 論理IC
単位重量: 0.000229 oz

 

記述

このシングル・ビットのnoninvertingバス トランシーバーは2つの別々の構成可能のパワー供給の柵を使用する。Aの港はVCCAを追跡するように設計されている。VCCAは1.65ボルトからの5.5 V.に供給電圧を受け入れる。Bの港はVCCBを追跡するように設計されている。VCCBは1.65ボルトからの5.5 V.に供給電圧を受け入れる。これは1.8-Vの何れか、2.5 - V間の普遍的な低電圧の二方向翻訳を、3.3-Vおよび5-V電圧ノード可能にする。

 

SN74LVC1T45は2つのデータ・バス間の非同期通信のために設計されている。方向制御(DIR)の入力の論理のレベルB港の出力か港の出力を活動化させるため。装置は港の出力が活動化させるときB港の出力がBバスからAバスへの活動化させるときAバスからのBバスにデータを送信し。入力回路部品はAおよびBの両方港で活発常にで、論理の高いですか低レベルの応用を超過分ICCおよびICCZを防ぐ持たなければならない。

 

SN74LVC1T45はDIRの入力がVCCAによって動力を与えられるように設計されている。この装置はIoffを使用して部分的力の適用のために十分に指定される。Ioffの回路部品は動力を与えられるとき防ぐ出力を不具にし現在の逆流を装置を通して損なう。VCC分離の特徴はどちらかのVCC入力がGNDにあればように設計されている、港は両方ともhigh-impedance州にある。

 

NanoFreeのパッケージの技術はパッケージとしてダイスを使用してICの包装の概念の主要な進歩、である。

SN74LVC1T45DBVRの論理の集積回路SMDの集積回路のゲート 0

 
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