LMG1210RVRR/WQFN-19/gestión ICs del poder
El LMG1210 es conductor del transistor de efecto de campo un 200-V, un MOSFET del semipuente y de un nitruro del galio (FET de GaN) diseñado para la frecuencia ultraalta, usos de gran eficacia que ofrece capacidad ajustable del deadtime, retraso de propagación muy pequeño, y al bajo-lado del alto-lado de 3,4 ns que hace juego para optimizar eficacia de sistema. Esta parte también ofrece un LDO interno que asegure un voltaje de la puerta-impulsión de 5-V sin importar voltaje de fuente.
Para permitir el mejor funcionamiento en una variedad de usos, el LMG1210 permite que el diseñador elija el diodo óptimo del tirante para cargar el condensador del tirante del alto-lado. Un interruptor interno da vuelta al diodo del tirante de cuando el lado bajo está evitando apagado, con eficacia que el tirante del alto-lado cobrar y minimizara la carga reversa de la recuperación excesivamente. La capacitancia parásita adicional a través del FET de GaN se minimiza a menos de 1 PF para reducir pérdidas que cambian adicionales.
El LMG1210 ofrece dos modos de entrada de control: La independiente entró modo (IIM) y modo de PWM. En IIM por cada uno de las salidas es controlado independientemente por una entrada dedicada. En modo de PWM las dos señales de salida complementarias se generan de una sola entrada y el usuario puede ajustar la época muerta de 0 a 20 ns para cada borde. El LMG1210 actúa sobre una gama de temperaturas ancha desde – 40°C a 125°C y se ofrece en un paquete de baja inductancia de WQFN.
| Cualidad de producto | Valor del atributo |
|---|---|
| Texas Instruments | |
| Categoría de producto: | Conductores de la puerta |
| Conductores de la puerta del MOSFET | |
| Alto-lado, Bajo-lado | |
| SMD/SMT | |
| WQFN-19 | |
| Conductor 2 | |
| Salida 2 | |
| 3 A | |
| 4,75 V | |
| 18 V | |
| 500 picosegundos | |
| 500 picosegundos | |
| - 40 C | |
| + 125 C | |
| LMG1210 | |
| Carrete | |
| Corte la cinta | |
| MouseReel | |
| Marca: | Texas Instruments |
| Tipo de la lógica: | TTL |
| Tiempo de retraso máximo de la vuelta-Apagado: | 18 ns |
| Tiempo de retraso de abertura máximo: | 18 ns |
| Humedad sensible: | Sí |
| Del tiempo - máximo: | 18 ns |
| Corriente de la fuente de funcionamiento: | 380 UA |
| Voltaje de salida: | 5 V |
| Tipo de producto: | Conductores de la puerta |
| Retraso de propagación - máximo: | 20 ns |
| Rds en - resistencia de la Dren-fuente: | 400 mOhms |
| Cantidad del paquete de la fábrica: | 3000 |
| Subcategoría: | PMIC - Gestión ICs del poder |
| Tecnología: | GaN |
| Marca registrada: | GaN |
| Peso de unidad: | 0,000945 onzas |
[WHO SOMOS]
LA TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA CO. DE HAOXIN HK LIMITÓ
Agente principal Distribution de las marcas famosas de IC: ALTERA/XILINX/ADI/TI/BROADCOM/LINEAR/CYPRESS/ST/MAXIM/NXP/LATTICE, etc. Nos calidad-orientan, principio orientado al servicio, entrega rápida, nuevo punto de empaquetado original, guardamos promesas de ganar el mercado, y a la mayoría de usuarios para crear un mejor futuro.
