DMN55D0UT-7/SOT-523-3/MOSFET
Descripción
Este MOSFET se diseña para minimizar la resistencia del en-estado (el RDS (ENCENDIDO)) pero mantener el funcionamiento que cambia superior, haciéndolo ideal para los usos de la gestión del poder de la eficacia alta.
| Cualidad de producto | Valor del atributo |
|---|---|
| Diodos incorporados | |
| Categoría de producto: | MOSFET |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| SOT-523-3 | |
| Canal N | |
| 1 canal | |
| 50 V | |
| 160 mA | |
| 4 ohmios | |
| - 12 V, + 12 V | |
| 700 milivoltio | |
| PC 295 | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 200 mW | |
| Aumento | |
| DMN55 | |
| Carrete | |
| Corte la cinta | |
| MouseReel | |
| Marca: | Diodos incorporados |
| Configuración: | Solo |
| Transconductancia delantera - minuto: | ms 180 |
| Altura: | 0,75 milímetros |
| Longitud: | 1,6 milímetros |
| Producto: | Pequeña señal del MOSFET |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Cantidad del paquete de la fábrica: | 3000 |
| Subcategoría: | MOSFETs |
| Tipo del transistor: | 1 canal N |
| Anchura: | 0,8 milímetros |
| Peso de unidad: | 0,000071 onzas |
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