STB75NF75T4 / TO-263-3 / 이산 반도체
기술
스트미크로일렉트로닉스 유일한 스트립펫텀 과정에서 실현화된 이 파워 모스펫 시리즈는 특히 입력 커패시턴스와 게이트전하를 최소화하도록 설계되었습니다. 그것은 진보적 높은 것에 주 스위치로서 그러므로 적당합니까?효율, 고주파는 통신과 컴퓨터 애플리케이션을 위한 직류-직류 변환기를 분리했습니다. 그것은 또한 낮은 게이트 드라이브 요구사항과 어떠한 애플리케이션도 위해 의도됩니다.
| 제품 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 스트미크로일렉트로닉스 | |
| 상품 카테고리 : | MOSFET |
| Si | |
| SMD / SMT | |
| TO-263-3 | |
| 엔-채널 | |
| 1개 채널 | |
| 75 Ｖ | |
| 80 A | |
| 11 모엠에스 | |
| - 20 Ｖ, + 20 Ｖ | |
| 3 Ｖ | |
| 160 nC | |
| - 55 Ｃ | |
| + 175 Ｃ | |
| 300 Ｗ | |
| 향상 | |
| 스트립페트 | |
| STB75NF75 | |
| 릴 | |
| 컷 테이프 | |
| 마우스릴 | |
| 브랜드 : | 스트미크로일렉트로닉스 |
| 구성 : | 단일 |
| 강하 시간 : | 30 나노 초 |
| 앞으로 상호컨덕턴스 - 민 : | 20 Ｓ |
| 높이 : | 4.6 밀리미터 |
| 길이 : | 10.4 밀리미터 |
| 상품 종류 : | MOSFET |
| 상승 시간 : | 100 나노 초 |
| 양 공장 팩 : | 1000 |
| 하위범주 : | MOSFET |
| 트랜지스터형 : | 1 엔-채널 |
| 전형적 정지 지연 시간 : | 66 나노 초 |
| 전형적 턴 온 지연 시간 : | 25 나노 초 |
| 폭 : | 9.35 밀리미터 |
| 단일 가중치 : | 0.139332 온스 |
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