BSC010N04LS/TDSON-8/分離した半導体
•Optimizedforsychronousrectification
•Verylowon-resistanceRDS （）
•100%avalanchetested•Superiorthermalresistance
•N-channel、logiclevel
•QualifiedaccordingtoJEDEC1） fortargetapplications
•Pbfreeleadplating;RoHScompliant
•ハロゲンfreeaccordingtoIEC61249 2 21
•Highersolderjointreliabilityduetoenlargedsourceinterconnection
| 製品特質 | 属性値 |
|---|---|
| Infineon | |
| 製品カテゴリ: | MOSFET |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| TDSON-8 | |
| N-Channel | |
| 1つのチャネル | |
| 40ボルト | |
| 100 A | |
| 1 mOhms | |
| - 20ボルト、+ 20ボルト | |
| 1.2 V | |
| 95 NC | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 139 W | |
| 強化 | |
| OptiMOS | |
| OptiMOS 5 | |
| 巻き枠 | |
| テープを切りなさい | |
| MouseReel | |
| ブランド: | インフィニオン・テクノロジーズ |
| 構成: | 単一 |
| 開発のキット: | EVAL-600W-12V-LLC-A、EVAL_600W_12V_LLC_CFD7、EVAL_600W_12V_LLC_P7、KIT_600W_LLC_DI_CTRL |
| 落下時間: | 9 ns |
| 前方相互コンダクタンス-分: | 140 S |
| 高さ: | 1.27 mm |
| 長さ: | 5.9 mm |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 上昇時間: | 12 ns |
| 工場パックの量: | 5000 |
| 下位範疇: | MOSFETs |
| トランジスター タイプ: | 1つのN-Channel |
| 典型的なTurn-Off遅れ時間: | 46 ns |
| 典型的なTurn-On遅れ時間: | 10 ns |
| 幅: | 5.15 mm |
| 部分#別名: | SP000928282 BSC010N04LSATMA1 |
| 単位重量: | 0.003527 oz |
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