SI1900DL-T1-E3/SOT-363-6/分離した半導体
記述
•IEC 61249-2-21定義に従ってハロゲンなし
•TrenchFET®力MOSFET
•RoHS指導的な2002/95/ECに迎合的
| 製品特質 | 属性値 |
|---|---|
| Vishay | |
| 製品カテゴリ: | MOSFET |
| RoHS: | 細部 |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| SOT-363-6 | |
| N-Channel | |
| 2チャネル | |
| 30ボルト | |
| 630 mA | |
| 480のmOhms | |
| - 20ボルト、+ 20ボルト | |
| 1ボルト | |
| 1.4 NC | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 300 MW | |
| 強化 | |
| TrenchFET | |
| SI1 | |
| 巻き枠 | |
| テープを切りなさい | |
| MouseReel | |
| ブランド: | Vishayの半導体 |
| 構成: | 二重 |
| 高さ: | 1つのmm |
| 長さ: | 2.1 mm |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 工場パックの量: | 3000 |
| 下位範疇: | MOSFETs |
| 幅: | 1.25 mm |
| 部分#別名: | SI1900DL-E3 |
| 単位重量: | 0.000265 oz |
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