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STM32L451CET6/D2PAK-3/semi-conducteurs discrets

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STM32L451CET6/D2PAK-3/semi-conducteurs discrets
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traits
Caractéristiques
Détails d'emballage: Norme/nouveau/original
Catégorie de produit: Transistor MOSFET
Technologie: SI
Vgs - tension de Porte-source: - 20 V, + 20 V
Température de fonctionnement minimum: - ℃ 55
Température de fonctionnement maximum: + ℃ 150
Informations de base
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: STMicroelectronics
Numéro de modèle: STM32L451CET6
Conditions de paiement et expédition
Détails d'emballage: D2PAK-3
Délai de livraison: En stock
Conditions de paiement: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement: Contactez-nous
Description de produit

REF02BU/SOIC-8/gestion IC de puissance

 

Caractéristiques

 

    • Conçu pour des applications des véhicules à moteur et AEC-Q101 a qualifié

    • diode de corps de Rapide-récupération

    • Extrêmement - basses charge de porte et capacité d'entrée

    • Basse sur-résistance

    • l'avalanche 100% a examiné

    • Rugosité extrêmement élevée de dv/dt • Zener-protégé

 

Attribut de produit Valeur d'attribut
STMicroelectronics
Catégorie de produit : Transistor MOSFET
SI
SMD/SMT
D2PAK-3
N-canal
La 1 Manche
600 V
34 A
93 mOhms
- 20 V, + 20 V
3 V
56 OR
- 55 C
+ 150 C
250 W
Amélioration
AEC-Q101
MDmesh
STB45N60DM2AG
Bobine
Coupez la bande
MouseReel
Marque : STMicroelectronics
Configuration : Simple
Temps de chute : 6 NS
Taille : 4,6 millimètres
Longueur : 10,4 millimètres
Produit : Transistors MOSFET de puissance
Type de produit : Transistor MOSFET
Temps de montée : 27 NS
Quantité de paquet d'usine : 1000
Sous-catégorie : Transistors MOSFET
Type de transistor : 1 transistor MOSFET de puissance de N-canal
Type : Haute tension
Temps de retard d'arrêt typique : 85 NS
Temps de retard d'ouverture typique : 29 NS
Largeur : 9,35 millimètres
Poids spécifique : 0,139332 onces

 

STM32L451CET6/D2PAK-3/semi-conducteurs discrets 0

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