Grata programmabile SMT FPGA di gate array di LCMXO2-1200HC-4MG132C

LCMXO2-1200HC-4MG132C/SMD/SMT/grata/FPGA - gate array programmabile/bobina del campo

architettura flessibile di logica del  • Sei dispositivi con 256 - 6864 LUT4s e 18 - 334 dispositivi di potere ultrabassi del  di I/Os • Processo avanzato di potere basso di 65 nanometro • Basso quanto un potere standby di 22 µW • Oscillazione bassa programmabile I/Os differenziale • Modo standby e memoria inclusa e distribuita dell'altro del risparmio di energia  di opzioni • Un blocchetto incluso sysMEM™ RAM di fino a 240 kbits • Fino a 54 kbits hanno distribuito RAM • Memoria flash dedicata dell'utente del Su chip del  di logica di controllo di FIFO • Fino a 256 kbits della memoria flash dell'utente • 100.000 scrivono i cicli • Interfacce dirette accessibili di WISHBONE, di SPI, di I2 C e di JTAG • Può essere usato come PROMENADE morbida dell'unità di elaborazione o come ingresso/uscita sincrono di fonte Pre-costruito  di memoria flash • Registri della RDT in cellule dell'ingresso/uscita • Logica d'innesto dedicata • Sistema d'ingranaggi di 7:1 per l'esposizione I/Os • La RDT generica, DDRX2, DDRX4 • Memoria dedicata di DDR/DDR2/LPDDR con il rendimento elevato del  di sostegno di DQS, amplificatore flessibile dell'ingresso/uscita • L'amplificatore programmabile dello sysIO™ sostiene la vasta gamma delle interfacce: – PCI di LVCMOS 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2 – LVTTL – – LVDS, bus-LVDS, MLVDS, RSDS, LVPECL – input di innesco di SSTL 25/18 – HSTL 18 – Schmitt, fino a 0,5 isteresi di V • Socketing caldo di sostegno di I/Os • termine differenziale del Su chip • Programmabile tiri su o il modo abbattuto